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深圳市烜芯微科技有限公司
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MOS管,IGBT米勒平臺的解析
2024-08-03
MOS管,IGBT米勒平臺的解析米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速
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MOS管的工作狀態(tài)與NMOS管的I/V特性曲線介紹
2024-08-03
MOS管的工作狀態(tài)與NMOS管的I V特性曲線介紹MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例：(1)截止區(qū)：當VGS(2)線性區(qū)：當VGS>Vth, 且0此時
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MOS管的開關(guān)損耗計算介紹
2024-08-03
MOS管的開關(guān)損耗計算介紹開關(guān)損耗計算1、CCM 模式開關(guān)損耗CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式
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關(guān)于MOS管功率選型解析
2024-08-03
關(guān)于MOS管功率選型解析MOS管有兩大類型：N 溝道和 P 溝道。在功率系統(tǒng)中，MOS管可被看成電氣開關(guān)。當在 N 溝道MOS管的柵極和源極間加
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MOS管驅(qū)動的電容自舉電路工作原理和器件選型介紹
2024-08-03
MOS管驅(qū)動的電容自舉電路工作原理和器件選型介紹說到升壓電路，大部分人第一反應(yīng)是BOOS升壓電路，今天我們就介紹一下成本更低的電容自舉升
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MOS管溝道夾斷了為什么還能將恒定載流子發(fā)送過去
2024-08-02
MOS管溝道夾斷了為什么還能將恒定載流子發(fā)送過去對于MOS管這樣一個三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。可以這樣直觀的理解柵極電壓Vg
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單片機I/O口驅(qū)動MOS管電路原理解析
2024-08-02
單片機I O口驅(qū)動MOS管電路原理解析為什么經(jīng)常看到在使用單片機I O口驅(qū)動MOS管時，不是使用單片機I O口直接驅(qū)動，而是經(jīng)過一級三極管，使用
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MOS管與三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計介紹
2024-08-02
MOS管與三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計介紹三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么？PNP與NMOS管可以組合么？那今天我們就來講
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MOS管設(shè)計防反接電路介紹
2024-08-02
MOS管設(shè)計防反接電路介紹電子元件大都是使用直流工作，電源線反接就有可能就會燒壞，那電路如何防反接?首當其沖我們想到的就是二極管了，運
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PFC MOS管Vds檢測解析
2024-08-02
PFC MOS管Vds檢測解析1 電感電流負1A檢測2 PFCMOS管Vds檢測通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，
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MOS管在光伏逆變器中的應(yīng)用介紹
2024-08-02
MOS管在光伏逆變器中的應(yīng)用介紹MOSFET管是一種通過電場控制導(dǎo)通狀態(tài)的半導(dǎo)體器件，分為N溝道和P溝道兩種類型。其基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和
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MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案介紹
2024-08-02
MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案介紹PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機理，通過具體的案例分析了因MOS振蕩引起損壞的各種原因。