不過，這可不代表MOSFET就不會靜電！那么，這靜電到底從何而來？
靜電放電：
是絕大多數(shù)器件、IC設(shè)計與制造的頭號難題。
靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，一般是人為產(chǎn)生的，在生產(chǎn)、組裝、測試、存放以及搬運的過程中，靜電會累積在人體、儀器或設(shè)備當中，然而元器件本身也會累積靜電。
靜電產(chǎn)生的方式通常分為四種：人體放電（HBM）、機器放電（MM）、元件充電（CDM）、電場感應(yīng)（FIM），通常以人體放電（HBM）、機器放電這兩種為主要測試模式。
HBM：業(yè)界對HBM的ESD標準(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)
MM：機器移動產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時由pin腳釋放，ESD標準【（EIA/JESD22-A115-A），等效機器電阻為0(金屬，且放電時間較短，在ms或者us之間），電容為100pF】。
由于等效電阻為0，因此電流很大，此外機器本身存在很多導線之間的耦合作用，電流會因此受到干擾進而變化。
CDM：器件帶靜電后接觸一個接地的導體發(fā)生放電。
在同樣的靜電電壓等級下，器件損傷程度：MM＞CDM＞HBM，產(chǎn)品規(guī)格書常見HBM、MM，電子器件標準為HBM接觸2KV。
接以上陳述以后，知道MOS管為何要防靜電嗎？
我們知道，MOS管是一個ESD敏感器件，本身輸入阻抗很高，其G-S之間的電容又很小，易受到外界電磁場或靜電感應(yīng)而帶電。
MOSFET靜電擊穿有兩種模式：
電壓型：G極的薄氧化層發(fā)生擊穿形成針孔，使G-S極/G-D之間短路；
功率型：金屬化薄膜鋁條被熔斷，導致G極/S極開路。
絕大部分MOSFET很少暴露在容易產(chǎn)生ESD的環(huán)境里，但在部分應(yīng)用里，MOSFET會專門在GS之間增加一個ESD保護器提高它的靜電防護能力。
不過，現(xiàn)在大多數(shù)MOSFET都沒那么容易擊穿，尤其是大功率VMOS，一般都有二極管保護，并且其柵極電容較大，感應(yīng)不出高壓。有些CMOS器件內(nèi)部增加了IO口保護，不過也不能用手直接接觸CMOS器件的管腳，會導致可焊性變差。
靜電放電
所形成的是短時的大電流，放電脈沖的時間常數(shù)一般遠小于器件散熱的時間常數(shù)。
當靜電放電電流流經(jīng)pn結(jié)時，會產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，并形成局部過熱，甚至超過材料本身的溫度（硅的熔點1410℃），這將導致pn結(jié)短路，使器件失效。
功率密度越小，器件越不容易受到損壞。
相對其它器件，MOS管的ESD敏感度要高一點。但ESD具有隨機性，就算產(chǎn)生ESD，也未必一定會把MOS管擊穿。
解決方案
在存儲和運輸時，最好用金屬容器或者導電材料包裝，避免化纖物品；
組裝、調(diào)試時，工具、儀表和工作臺需做到良好接地，操作人員要避免穿著尼龍、化纖衣類導致靜電干擾；
MOS管是電壓驅(qū)動型，懸空的G極易受外部干擾讓MOS導通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電。G懸空是很危險的，容易造成爆管。讓G極接個下拉電阻對地，外部干擾信號就不會直通了，一般這個柵極電阻可以在10-20K。
這個柵極電阻的作用之前也有提到過：
為MOS提供偏置電壓
起到泄放電阻的作用
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