MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時;Q1、Q2是輪流導通，MOS管柵極是在反復充電、放電的狀態(tài)，如果在此時關(guān)閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài);一個狀態(tài)是;放電狀態(tài)，柵極等效電容沒有電荷存儲，一個狀態(tài)是;充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài)，如下圖A所示。
雖然電源切斷，此時Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài)，電荷沒有釋放的回路，MOS管柵極的電場仍然存在(能保持很長時間)，建立導電溝道的條件并沒有消失。這樣在再次開機瞬間，由于激勵信號還沒有建立，而開機瞬間MOS管的漏極電源(VDS)隨機提供,在導電溝道的作用下，MOS管即刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流ID，引起MOS管燒壞。
為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1，如下圖B所示，關(guān)機后柵極存儲的電荷通過R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在5K～數(shù)10K左右。
灌流電路主要是針對MOS管在作為開關(guān)管運用時其容性的輸入特性，引起“開”、“關(guān)”動作滯后而設(shè)置的電路，當MOS管作為其他用途;例如線性放大等應(yīng)用，就沒有必要設(shè)置灌流電路。
實例應(yīng)用電路分析
初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識后，一般的就可以簡單的分析，采用MOS管開關(guān)電源的電路了。
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