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  • 驅動芯片與MOS管搭建大電流H橋電機驅動電路介紹
    • 發布時間:2022-10-17 17:20:57
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    驅動芯片與MOS管搭建大電流H橋電機驅動電路介紹
    用半橋/全橋驅動芯片和MOS管搭建合適的H橋電機驅動電路實現對大電流電機的驅動控制。該電機驅動板有兩個H橋電路,可以同時控制雙路電機。可通過相應的控制信號來控制電機的轉速和正反轉。
    大電流H橋電機驅動電路原理圖
    大電流電機 H橋驅動電路
    大電流電機 H橋驅動電路
    PCB 3D圖
    大電流電機 H橋驅動電路
    大電流H橋電機驅動電路詳解
    搭建H橋驅動電路一般都包括兩個部分:半橋/全橋驅動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅動所能通過的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。因此,選擇適當的MOS管,即可設計出驅動大電流電機的H橋驅動電路。
    NMOS管
    在選擇MOS管搭建H橋時,主要需注意以下一些參數:
    1.漏極電流(Id):該電流即限制了所能接入電機的最大電流(一般要選擇大于電機堵轉時的電流,否則可能在電機堵轉時燒毀MOS管)。
    2.柵源閾值電壓/開啟電壓(Vth):該電壓即MOS管打開所需的最小電壓,也將決定后續半橋驅動芯片的選擇和設計(即芯片柵極控制腳的輸出電壓)。
    3.漏源導通電阻(Rds):該電阻是MOS管導通時,漏極和源極之間的損耗內阻,將會決定電機轉動時,MOS管上的發熱量,因此一般越小越好。
    4.最大漏源電壓(Vds):該電壓是MOS管漏源之間所能承受的最大電壓,必須大于加在H橋上的電機驅動電壓。
    半橋驅動芯片
    在H橋驅動電路中,一共需要4個MOS管。而這四個MOS管的導通與截止則需要專門的芯片來進行控制,即要半橋/全橋驅動芯片。
    所謂半橋驅動芯片,便是一塊驅動芯片只能用于控制H橋一側的2個MOS管(1個高端MOS和1個低端MOS)。因此采用半橋驅動芯片時,需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。
    相應的,全橋驅動芯片便是可以直接控制4個MOS管的導通與截止,一塊該芯片便能完成一個完整H橋的控制。
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