功率MOSFET可分成兩類：P溝道及N溝道：中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個(gè)極：漏極（D）。源極（S）及柵極（G）。有一些功率MOS-FET內(nèi)部在漏源極之間并接了一個(gè)二極管或肖特基二極管，這是在接電感負(fù)載時(shí)，防止反電勢(shì)損壞 MOSFET。這兩類MOSFET的工作原理相同，僅電源電壓控制電壓的極性相反。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
有增強(qiáng)型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型(Depletion)MOS或DMOS）兩大
類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：
D(Drain) 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；
G(Gate) 稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；
S(Source) 稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。
優(yōu)勢(shì)：
1、mosfet是電壓控制型器件，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)。電路較簡(jiǎn)單
2、輸入阻抗高，可達(dá)百兆Ω以上
3、工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高（開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒），開(kāi)關(guān)
損耗小
4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且mosfet的輸入比雙極型的輸入電容小得多，所以
它的交流輸入阻抗極高，噪聲也小，最適合制作Hi-Fi音響
5、功率mosfet可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流。
· 功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)（軟、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、掃描器等）、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。
根據(jù)以上對(duì)功率 MOSFET 特性的分析,其驅(qū)動(dòng)通常要求:觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度;②開(kāi)通時(shí)以低電阻力柵極電容充電,關(guān)斷時(shí)為柵極提供低電阻放電回路,以提高功率 MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度;③為了使功率 MOSFET 可靠觸發(fā)導(dǎo)通, 觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)高于管子的開(kāi)啟電壓,為了防止誤導(dǎo)通,在其截止時(shí)應(yīng)提供負(fù)的柵源電壓;④功率開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)時(shí)所需驅(qū)動(dòng)電流為柵極電容的充放電電流,功率管極間電容越大,所需電流越大,即帶負(fù)載能力越大
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