金屬-氧化物-半導體結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS集成電路。
由p型襯底和兩個高濃度n擴散區(qū)構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間構成n型導電溝道。n溝道加強型MOS管必需在柵極上施加正向偏壓，且只要柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
從構造簡單上看，N溝道耗盡型MOS管與N溝道加強型MOS管根本類似,其區(qū)別僅在于柵－源極間電壓vGS=0時，耗盡型MOS管中的漏－源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才呈現(xiàn)導電溝道。
緣由是制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，因而即便vGS=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏－源極間的P型襯底外表也能感應生成N溝道(稱為初始溝道)，只需加上正向電壓vDS，就有電流iD。假如加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸收來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。
當vGS負向增加到某一數(shù)值時，導電溝道消逝，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消逝時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的狀況下工作。
后者在vGS=0，vGS>0，VP
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