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cool mos是什么-作用與散熱措施的方法詳解
  • 發(fā)布時(shí)間:2019-08-01 14:38:33
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COOLMOS
近來(lái),LLC拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仍獾綇V闊電源規(guī)劃工程師的喜愛(ài),可是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹L貏e是在電源啟機(jī),動(dòng)態(tài)負(fù)載,過(guò)載,短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)二極管,低Qg 和Coss能夠完全滿意這些需求并大大提高電源體系的可靠性。
cool mos
長(zhǎng)期以來(lái),提高電源體系功率密度,功率以及體系的可靠性一直是研制人員面對(duì)的重要課題。提高電源的開(kāi)關(guān)頻率是其間的辦法之一,可是頻率的提高會(huì)影響到功率器材的開(kāi)關(guān)損耗,使得提高頻率對(duì)硬開(kāi)關(guān)拓?fù)鋪?lái)說(shuō)效果并不十分顯著,硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洮F(xiàn)已達(dá)到了它的規(guī)劃瓶頸。
1、Coolmos選型
一般選擇一顆MOS大致看以下幾個(gè)參數(shù)BVIdRdsVthQgPd等。可是這幾個(gè)參數(shù),只要Qg和Id是交流參數(shù),其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動(dòng)態(tài)參數(shù),其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A,或許125度的時(shí)分,電流只要50A,所以選型的時(shí)分要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流,剩余就是看Coolmos的損耗了。Coolmos在外表的是Rdson較低,只要平面管的1/3或者1/4,那MOS的導(dǎo)通損耗必定較之平面管要低不少。MOS的別的一個(gè)損耗,開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)往往愈加占主導(dǎo)。開(kāi)關(guān)損耗在MOS里最直接表現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最中心的參數(shù)。從coolmos的開(kāi)展來(lái)看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外,他是C3的Costdown)。你是電源規(guī)劃者,Trr的合理運(yùn)用,你比我清楚。Coolmos在實(shí)踐使用中,MOS前段的Rg驅(qū)動(dòng),一般對(duì)電阻要求會(huì)低許多。這也能下降損耗。舉個(gè)比如,20N60C3MOS前段的驅(qū)動(dòng)電阻一般可做到15mohm以下,可是也不是越低越好,開(kāi)關(guān)越高,EMI的問(wèn)題就出來(lái)了。所以驅(qū)動(dòng)電阻的選擇要綜合考慮,在EMI允許的情況下,盡量下降驅(qū)動(dòng)電阻。
2.Coolmos選用散熱辦法
只能說(shuō)要看功率,舉個(gè)比如,150W的LED電源上,你覺(jué)得能夠不加散熱嘛?15W的LED電源上,加散熱裝置,那有當(dāng)?shù)孛?Coolmos,在使用端,處理了有的電源計(jì)劃需求電子器材更小的體積,甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器),而大功率上垂青Coolmos的仍是他能下降損耗,所以散熱片是一定要加的。
3.Coolmos使用
現(xiàn)在在國(guó)內(nèi)使用仍是十分片面的,任重而道遠(yuǎn)。舉個(gè)比如,在一個(gè)70W的筆記本適配器上,許多仍是用的20A的平面管(或者是16A),可是我們知道實(shí)踐電路里的有用電流其實(shí)很小,用20A僅僅垂青他的低內(nèi)阻,下降損耗,下降溫升。如果運(yùn)用Coolmos,以為還需求16A的,那平等電流,價(jià)格必定不可比的。其實(shí)呢,Coolmos10A滿足去代替了。開(kāi)關(guān)損耗,Coolmos要較平面管低許多,內(nèi)阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會(huì)高多少,在高溫下,根本內(nèi)阻是共同的。(有機(jī)會(huì)發(fā)個(gè)試驗(yàn)數(shù)據(jù),16A的平面管和10A的Coolmos在100度下,內(nèi)阻是相差不多的條件,帶負(fù)載,表現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗低的特色)。
4.總結(jié)
MOS在開(kāi)展,損耗會(huì)越來(lái)越低。電源計(jì)劃只會(huì)像更高功率和更小體積開(kāi)展。
Coolmos的主旨是尋求:開(kāi)關(guān)最低損耗。在Coolmos上,是經(jīng)過(guò)P柱,構(gòu)成更大的PN結(jié),然后下降Rds。可是就好像你講的,Coolmos,下降了Rds,所以他的EAS才能較之平面管要低,這也對(duì)電源規(guī)劃者提出了更高的要求。可是我們都知道,能用得起Coolmos的電源,根本稱之為高級(jí)電源,那計(jì)劃的規(guī)劃必定是精雕細(xì)鏤的。
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